Gate-based high fidelity spin readout in a CMOS device - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Nature Nanotechnology Année : 2019

Gate-based high fidelity spin readout in a CMOS device

Emmanuel Chanrion
Tristan Meunier

Dates et versions

hal-02164172 , version 1 (24-06-2019)

Identifiants

Citer

Matias Imanol Urdampilleta, David Niegemann, Emmanuel Chanrion, Baptiste Jadot, Cameron Spence, et al.. Gate-based high fidelity spin readout in a CMOS device. Nature Nanotechnology, 2019, 14, pp.737-741. ⟨10.1038/s41565-019-0443-9⟩. ⟨hal-02164172⟩
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