Article Dans Une Revue
Journal of Physical Chemistry C
Année : 2017
SHANTING ZHANG : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02164067
Soumis le : lundi 24 juin 2019-18:00:11
Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:12
Citer
Shan-Ting Zhang, Hervé Roussel, Odette Chaix-Pluchery, Michel Langlet, David Munoz-Rojas, et al.. Polymorphism of the Blocking TiO 2 Layer Deposited on F:SnO 2 and Its Influence on the Interfacial Energetic Alignment. Journal of Physical Chemistry C, 2017, 121 (32), pp.17305-17313. ⟨10.1021/acs.jpcc.7b04893⟩. ⟨hal-02164067⟩
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