Self-Heating Effect in FDSOI Transistors Down to Cryogenic Operation at 4.2 K
K. Triantopoulos
(1)
,
M. Cassé
(1)
,
S. Barraud
(1)
,
S. Haendler
(2)
,
E. Vincent
(2)
,
M. Vinet
(1)
,
F. Gaillard
(1)
,
G. Ghibaudo
(3)
1
CEA-LETI -
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
2 ST-CROLLES - STMicroelectronics [Crolles]
3 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
2 ST-CROLLES - STMicroelectronics [Crolles]
3 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
M. Cassé
- Fonction : Auteur
- PersonId : 755505
- ORCID : 0000-0002-4934-2445
M. Vinet
- Fonction : Auteur
- PersonId : 756257
- ORCID : 0000-0001-6757-295X
F. Gaillard
- Fonction : Auteur
- PersonId : 10572
- IdHAL : francois-gaillard
G. Ghibaudo
- Fonction : Auteur
- PersonId : 170596
- IdHAL : gerard-ghibaudo
- ORCID : 0000-0001-9901-0679
- IdRef : 069253099