Self-Heating Effect in FDSOI Transistors Down to Cryogenic Operation at 4.2 K - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2019

Self-Heating Effect in FDSOI Transistors Down to Cryogenic Operation at 4.2 K

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02161716 , version 1 (21-06-2019)

Identifiants

Citer

K. Triantopoulos, M. Cassé, S. Barraud, S. Haendler, E. Vincent, et al.. Self-Heating Effect in FDSOI Transistors Down to Cryogenic Operation at 4.2 K. IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, pp.1-8. ⟨10.1109/TED.2019.2919924⟩. ⟨hal-02161716⟩
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