Communication Dans Un Congrès Année : 2019

Growth and Memory effect of Ge in GaAs epilayers grown in UHV environment using IBGe

Résumé

The growth of Germanium (Ge) with iso-butyl germane (IBGe) as germanium source and the study of Ge memory effect in GaAs grown in UHV environment (Chemical beam epitaxy CBE reactor) is presented. High quality Ge epilayers were grown and a strong Ge memory effect was found in GaAs epilayers grown in the same reactor.

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  • HAL Id : hal-02149995 , version 1

Citer

Alex Brice Poungoué Mbeunmi, Roxana Arvinte, Mohammad R. Aziziyan, Richard Arès, Simon Fafard, et al.. Growth and Memory effect of Ge in GaAs epilayers grown in UHV environment using IBGe. ICSI-ISTDM, Jun 2019, Wisconsin-Madison, United States. ⟨hal-02149995⟩
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