Communication Dans Un Congrès
Année : 2017
Thierry Deutsch : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02143370
Soumis le : mercredi 29 mai 2019-12:31:55
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:30:20
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02143370 , version 1
Citer
M. Cassé, J. Pelloux-Prayer, Z. Zeng, Y.-M Niquet, F. Triozon, et al.. An improved mobility model for FDSOI TriGate and other multi-gate Nanowire MOSFETs down to nanometer-scaled dimensions. 2017 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), Oct 2017, Burlingame, France. pp.1-3. ⟨hal-02143370⟩
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