Temperature estimation of high-electron mobility transistors AlGaN/GaN - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2018

Temperature estimation of high-electron mobility transistors AlGaN/GaN

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02131183 , version 1 (16-05-2019)

Identifiants

Citer

O. Latry, Eric Joubert, Tristan Neveu, Niemat Moultif, Mohamed Ndiaye. Temperature estimation of high-electron mobility transistors AlGaN/GaN. 2018 19th IEEE Mediterranean Electrotechnical Conference (MELECON), May 2018, Marrakech, France. pp.265-268, ⟨10.1109/MELCON.2018.8379105⟩. ⟨hal-02131183⟩
36 Consultations
0 Téléchargements

Altmetric

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More