Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
Année : 2019
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https://hal.science/hal-02118352
Soumis le : vendredi 3 mai 2019-07:55:31
Dernière modification le : samedi 27 septembre 2025-19:11:49
Citer
M. Arabi, X. Federspiel, F. Cacho, M. Rafik, A.-P. Nguyen, et al.. New Insights on device level TDDB at GHz speed in advanced CMOS nodes. IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 2019, pp.1-1. ⟨10.1109/TDMR.2019.2914362⟩. ⟨hal-02118352⟩
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