Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Device and Materials Reliability Année : 2019
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Dates et versions

hal-02118352 , version 1 (03-05-2019)

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Citer

M. Arabi, X. Federspiel, F. Cacho, M. Rafik, A.-P. Nguyen, et al.. New Insights on device level TDDB at GHz speed in advanced CMOS nodes. IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 2019, pp.1-1. ⟨10.1109/TDMR.2019.2914362⟩. ⟨hal-02118352⟩
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