Monte Carlo analysis of III–V PIN diodes for tunnel-FETs and Impact Ionization-MOSFETs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2017
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02115693 , version 1 (30-04-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02115693 , version 1

Citer

B. Vasallo, V. Talbo, T. Gonzalez, Y. Lechaux, Nicolas Wichmann, et al.. Monte Carlo analysis of III–V PIN diodes for tunnel-FETs and Impact Ionization-MOSFETs. 2017 Spanish Conference on Electron Devices (CDE), Feb 2017, Barcelona, Spain. pp.1-4. ⟨hal-02115693⟩
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