Improvement of interfacial properties of Al2O3/GaSb using O2 plasma postoxidation process - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Improvement of interfacial properties of Al2O3/GaSb using O2 plasma postoxidation process

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02115658 , version 1 (30-04-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02115658 , version 1

Citer

Y. Lechaux, A-B. Fadjie-Djomkam, S. Bollaert, L. Morgenroth, Nicolas Wichmann. Improvement of interfacial properties of Al2O3/GaSb using O2 plasma postoxidation process. 2016 IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (NMDC), Oct 2016, Toulouse, France. pp.1-2. ⟨hal-02115658⟩
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