Article Dans Une Revue
Journal of Applied Physics
Année : 1984
Gerard Ghibaudo : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02114086
Soumis le : lundi 29 avril 2019-13:36:27
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-18:19:22
Citer
A. Fargeix, G. Ghibaudo. Role of stress on the parabolic kinetic constant for dry silicon oxidation. Journal of Applied Physics, 1984, 56 (2), pp.589-591. ⟨10.1063/1.333924⟩. ⟨hal-02114086⟩
Collections
9
Consultations
0
Téléchargements