Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Electron Devices
Année : 2019
Gerard Ghibaudo : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02113591
Soumis le : lundi 29 avril 2019-07:18:48
Dernière modification le : vendredi 19 avril 2024-10:50:03
Citer
H. Cortes-Ordonez, S. Jacob, F. Mohamed, G. Ghibaudo, B. Iñiguez. Analysis and Compact Modeling of Gate Capacitance in Organic Thin-Film Transistors. IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, pp.1-5. ⟨10.1109/TED.2019.2906827⟩. ⟨hal-02113591⟩
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