Analysis and Compact Modeling of Gate Capacitance in Organic Thin-Film Transistors - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2019
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Dates et versions

hal-02113591 , version 1 (29-04-2019)

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Citer

H. Cortes-Ordonez, S. Jacob, F. Mohamed, G. Ghibaudo, B. Iñiguez. Analysis and Compact Modeling of Gate Capacitance in Organic Thin-Film Transistors. IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, pp.1-5. ⟨10.1109/TED.2019.2906827⟩. ⟨hal-02113591⟩
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