Quasi-monocrystalline Ge as an interface layer for multi-junction solar cells on Si substrates: electrical resistivity and device modelling - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Quasi-monocrystalline Ge as an interface layer for multi-junction solar cells on Si substrates: electrical resistivity and device modelling

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

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https://hal.science/hal-02096910

Soumis le : jeudi 11 avril 2019-16:26:43

Dernière modification le : mardi 28 mai 2024-11:48:02

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Dates et versions

hal-02096910 , version 1 (11-04-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02096910 , version 1

Citer

M N Beattie, y A Bioud, A. Boucherif, D G. Hobson, R. Arès, et al.. Quasi-monocrystalline Ge as an interface layer for multi-junction solar cells on Si substrates: electrical resistivity and device modelling. Photonic North, Jun 2017, Ottawa, Canada. ⟨hal-02096910⟩

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