Article Dans Une Revue
Solid-State Electronics
Année : 2012
Frédéric Martinez : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02092993
Soumis le : lundi 8 avril 2019-15:41:31
Dernière modification le : mercredi 3 avril 2024-11:14:12
Citer
M. Valenza, J. El Husseini, Frédéric Martinez, M. Bawedin, C. Le Royer, et al.. Improved 1/f noise characterization of strained SiGe on insulator MOSFETs fabricated on wafers obtained by the Ge enrichment technique. Solid-State Electronics, 2012, 70, pp.27-32. ⟨10.1016/j.sse.2011.11.016⟩. ⟨hal-02092993⟩
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