Analysis of the charge sharing effect in the SET sensitivity of bulk 45nm standard cell layouts under heavy ions - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2018

Analysis of the charge sharing effect in the SET sensitivity of bulk 45nm standard cell layouts under heavy ions

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Electronique

Frédéric Wrobel  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02086379

Soumis le : lundi 1 avril 2019-12:21:14

Dernière modification le : lundi 10 juin 2024-16:58:03

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Dates et versions

hal-02086379 , version 1 (01-04-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02086379 , version 1

Citer

Ygor Quadros de Aguiar, Frédéric Wrobel, Jean-Luc Autran, Paul Leroux, Frédéric Saigné, et al.. Analysis of the charge sharing effect in the SET sensitivity of bulk 45nm standard cell layouts under heavy ions. 29th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF 2018), Oct 2018, Aalborg, Denmark. ⟨hal-02086379⟩

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