Planar HfOx based ReRAM using nanodamascene process - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2016
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02079226 , version 1 (25-03-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02079226 , version 1

Citer

M. Labalette, S. Ecoffey, S. Blonkowski, S. Jeannot, A. Souifi, et al.. Planar HfOx based ReRAM using nanodamascene process. 13th International congress on nanostructured material, Aug 2016, Quebec, Canada. ⟨hal-02079226⟩
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