On the origin of defects during III-Sb epitaxy on Si(001) - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2018
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02078642 , version 1 (25-03-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02078642 , version 1

Citer

A. Trampert, M. Niehle, H. Drube, J.-B. Rodriguez, L. Cerutti, et al.. On the origin of defects during III-Sb epitaxy on Si(001). 2018 E-MRS Spring meeting, Symposium V, 2018, Strasbourg, France. ⟨hal-02078642⟩
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