Access to residual carrier concentration in ZnO nanowires by calibrated scanning spreading resistance microscopy - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2016
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Dates et versions

hal-02073088 , version 1 (19-03-2019)

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Citer

L. Wang, J. Chauveau, R. Brenier, V. Sallet, F. Jomard, et al.. Access to residual carrier concentration in ZnO nanowires by calibrated scanning spreading resistance microscopy. Applied Physics Letters, 2016, 108 (13), pp.132103. ⟨10.1063/1.4945100⟩. ⟨hal-02073088⟩
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