Quantum simulation of mobility and current enhancement in sub-14nm strained SiGe FD-pMOSFETs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2015
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02068476 , version 1 (15-03-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02068476 , version 1

Citer

Marco G. Pala, Barbara de Salvo, P. Morin, Gérard Ghibaudo. Quantum simulation of mobility and current enhancement in sub-14nm strained SiGe FD-pMOSFETs. GRDi CNRS Mecano: Mechanical Issues for Advanced Electron Devices Workshop, M. Mouis, O. Thomas, E. Zschech, C. Paitel, Jun 2015, Grenoble, France. ⟨hal-02068476⟩
33 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More