Gate and drain low frequency noise in HfO2 NMOSFETs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2005
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02066806 , version 1 (13-03-2019)

Identifiants

Citer

T. Nguyen, M. Valenza, Frédéric Martinez, Guillaume Neau, J.-C. Vildeuil, et al.. Gate and drain low frequency noise in HfO2 NMOSFETs. International Conference on Noise and Fluctuations, 2005, Salamanca (Spain), Spain. pp.235-238, ⟨10.1063/1.2036739⟩. ⟨hal-02066806⟩
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