Communication Dans Un Congrès
Année : 2009
Frédéric Martinez : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02063016
Soumis le : dimanche 10 mars 2019-14:19:33
Dernière modification le : mercredi 3 avril 2024-11:14:12
Citer
J. Gyani, Frédéric Martinez, S. Soliverès, M. Valenza, C. Le Royer, et al.. 1∕f noise in 0.12 μm P-MOSFETs with High-k and metal gate fabricated in a Si Process Line on 200 mm GeOI Wafers. NOISE AND FLUCTUATIONS: 20th International Conference on Noice and Fluctuations (ICNF-2009), 2009, Pisa (Italy), Italy. pp.259-262, ⟨10.1063/1.3140445⟩. ⟨hal-02063016⟩
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