Characterization and modelling of layout effects in SiGe channel pMOSFETs from 14nm UTBB FDSOI technology - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2017

Characterization and modelling of layout effects in SiGe channel pMOSFETs from 14nm UTBB FDSOI technology

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02061859 , version 1 (08-03-2019)

Identifiants

Citer

Rémy Berthelon, F. Andrieu, S. Ortolland, R. Nicolas, T. Poiroux, et al.. Characterization and modelling of layout effects in SiGe channel pMOSFETs from 14nm UTBB FDSOI technology. Solid-State Electronics, 2017, 128, pp.72-79. ⟨10.1016/j.sse.2016.10.011⟩. ⟨hal-02061859⟩
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