Lattice contraction due to boron doping in silicon - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Materials Science in Semiconductor Processing Année : 2018
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Dates et versions

hal-02061809 , version 1 (08-03-2019)

Identifiants

Citer

Victor Boureau, Jean Michel Hartmann, Alain Claverie. Lattice contraction due to boron doping in silicon. Materials Science in Semiconductor Processing, 2018, 87, pp.65-68. ⟨10.1016/j.mssp.2018.07.011⟩. ⟨hal-02061809⟩
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