Advanced Electrical characterisation of high voltage 4H-SiC PiN diodes - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Materials Science Forum Année : 2019

Advanced Electrical characterisation of high voltage 4H-SiC PiN diodes

Besar Asllani
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 959900
Pascal Bevilacqua
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1062599
Beverley Choucoutou
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1062600
Hervé Morel
L. Phung

Résumé

This paper reports the design, the processing, the static characterisation, the switching behaviour and the high current stress test of 10 kV aimed 4H-SiC bipolar diodes. The actual breakdown voltage of the selected devices is between 7 kV and 8 kV. The switching characterisations show a good behaviour with a trr of only 90 ns. No degradation was observed after the application of 10 000 high current pulses during the stress tests.
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978-3-0357-1332-9_1050.pdf (1.62 Mo) Télécharger le fichier
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Dates et versions

hal-02060334 , version 1 (07-03-2019)

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Citer

Besar Asllani, Dominique Planson, Pascal Bevilacqua, Jean-Baptiste Fonder, Beverley Choucoutou, et al.. Advanced Electrical characterisation of high voltage 4H-SiC PiN diodes. Materials Science Forum, 2019, 963, pp.567-571. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.963.567⟩. ⟨hal-02060334⟩
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