Optically pumped GeSn micro-disks with 16% Sn lasing at 3.1 μ m up to 180 K
V. Reboud
(1)
,
A. Gassenq
(2)
,
N. Pauc
(2)
,
J. Aubin
(1)
,
L. Milord
(1)
,
Q. Thai
(2)
,
M. Bertrand
(1)
,
K. Guilloy
(2)
,
D. Rouchon
(1)
,
J. Rothman
(1)
,
T. Zabel
(3)
,
F. Armand Pilon
(3)
,
H. Sigg
(3)
,
A. Chelnokov
(4)
,
J. Hartmann
(5, 1)
,
V. Calvo
(2)
1
CEA-LETI -
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
2 SiNaps - Silicon Nanoelectronics Photonics and Structures
3 PSI - Paul Scherrer Institute
4 CEA - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
5 LTM - Laboratoire des technologies de la microélectronique
2 SiNaps - Silicon Nanoelectronics Photonics and Structures
3 PSI - Paul Scherrer Institute
4 CEA - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
5 LTM - Laboratoire des technologies de la microélectronique