Communication Dans Un Congrès Année : 2011

1T-DRAM at the 22nm technology node and beyond: An alternative to DRAM with high-k storage capacitor

G. Guegan
  • Fonction : Auteur
S. Chang
  • Fonction : Auteur

Domaines

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02052982 , version 1 (28-02-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02052982 , version 1

Citer

M. Bawedin, S. Cristoloveanu, A. Hubert, G. Guegan, S. Chang, et al.. 1T-DRAM at the 22nm technology node and beyond: An alternative to DRAM with high-k storage capacitor. 2011 IEEE 14th International Symposium on Electrets ISE 14, Aug 2011, Montpellier, France. pp.93-94. ⟨hal-02052982⟩
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