On the influence of gate length on pBTI in GaN-on-Si E-mode MOSc-HEMT
Abygael Viey
(1)
,
William Vandendaele
(1)
,
Marie-Anne Jaud
(1)
,
Romain Gwoziecki
(1)
,
Alphonse Torres
(1)
,
Marc Plissonnier
(1)
,
Frédéric Gaillard
(1)
,
Gérard Ghibaudo
(2)
,
Roberto Modica
(3)
,
Ferdinando Lucolano
(3)
,
Matteo Meneghini
(4)
,
Gaudenzio Meneghesso
(4)
1
CEA-LETI -
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
2 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
3 STMicroelectronics
4 DEI - Department of Information Engineering [Padova]
2 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
3 STMicroelectronics
4 DEI - Department of Information Engineering [Padova]
William Vandendaele
- Fonction : Auteur
- PersonId : 988501
Gérard Ghibaudo
- Fonction : Auteur
- PersonId : 170596
- IdHAL : gerard-ghibaudo
- ORCID : 0000-0001-9901-0679
- IdRef : 069253099
Matteo Meneghini
- Fonction : Auteur
- PersonId : 786074
- ORCID : 0000-0003-2421-505X
Gaudenzio Meneghesso
- Fonction : Auteur
- PersonId : 786075
- ORCID : 0000-0002-6715-4827
Résumé
In this paper we explore the influence of the fully recessed gate length on Vth instabilities with ultra-fast pBTI measurements (< 10µs) on GaN-on-Si E-mode MOSc-HEMTs.