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Communication Dans Un Congrès Année : 2019

On the influence of gate length on pBTI in GaN-on-Si E-mode MOSc-HEMT

Résumé

In this paper we explore the influence of the fully recessed gate length on Vth instabilities with ultra-fast pBTI measurements (< 10µs) on GaN-on-Si E-mode MOSc-HEMTs.
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02052343 , version 1 (28-02-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02052343 , version 1

Citer

Abygael Viey, William Vandendaele, Marie-Anne Jaud, Romain Gwoziecki, Alphonse Torres, et al.. On the influence of gate length on pBTI in GaN-on-Si E-mode MOSc-HEMT. 2019 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), Mar 2019, Monterey, United States. pp.7A.1 session WB GaN. ⟨hal-02052343⟩
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