Communication Dans Un Congrès
Année : 2018
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https://hal.science/hal-02052290
Soumis le : jeudi 28 février 2019-13:46:18
Dernière modification le : samedi 27 septembre 2025-19:47:00
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02052290 , version 1
Citer
D. Alfaro Robayo, G. Sassine, Quentin Rafhay, Gérard Ghibaudo, Gabriel Molas, et al.. Experimental and theoretical investigation of RRAM endurance statistical behavior. 49th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC), IEEE, Dec 2018, San Diego, United States. pp.13.2. ⟨hal-02052290⟩
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