Various SEU conditions in SRAM studied by 3-D device simulation - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Nuclear Science Année : 2001

Various SEU conditions in SRAM studied by 3-D device simulation

K. Castellani-Coulié
Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence
CV
J.-M. Palau
  • Fonction : Auteur
Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier
G. Hubert
  • Fonction : Auteur
M.-C. Calvet
  • Fonction : Auteur
P.E. Dodd
  • Fonction : Auteur
F. Sexton
  • Fonction : Auteur

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-02042690

Soumis le : mercredi 20 février 2019-15:20:30

Dernière modification le : lundi 10 juin 2024-16:58:03

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Dates et versions

hal-02042690 , version 1 (20-02-2019)

Identifiants

Citer

K. Castellani-Coulié, J.-M. Palau, G. Hubert, M.-C. Calvet, P.E. Dodd, et al.. Various SEU conditions in SRAM studied by 3-D device simulation. IEEE Transactions on Nuclear Science, 2001, 48 (6), pp.1931-1936. ⟨10.1109/23.983153⟩. ⟨hal-02042690⟩

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