Influence of Simulation Parameters on the Bipolar Amplification in Fully-Depleted SOI Technologies under Heavy-Ion Irradiations - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2005
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02025578 , version 1 (19-02-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02025578 , version 1

Citer

K. Castellani-Coulié, M. Xia, Daniela Munteanu, Jean-Luc Autran, V. Ferlet-Cavrois, et al.. Influence of Simulation Parameters on the Bipolar Amplification in Fully-Depleted SOI Technologies under Heavy-Ion Irradiations. 2005 8th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems, Sep 2005, Cap d'Agde, France. pp.G2-1-G2-6. ⟨hal-02025578⟩
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