Accurate mask model implementation in optical proximity correction model for 14-nm nodes and beyond - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Journal of Micro/Nanolithography, MEMS, and MOEMS Année : 2016

Accurate mask model implementation in optical proximity correction model for 14-nm nodes and beyond

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Sciences de l'ingénieur [physics]

Frédéric Garet  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02025168

Soumis le : mardi 19 février 2019-15:35:29

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hal-02025168 , version 1 (19-02-2019)

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Citer

Nacer Zine El Abidine, Frank Sundermann, Emek Yesilada, Vincent Farys, Frederic Huguennet, et al.. Accurate mask model implementation in optical proximity correction model for 14-nm nodes and beyond. Journal of Micro/Nanolithography, MEMS, and MOEMS, 2016, 15 (2), pp.021011. ⟨10.1117/1.jmm.15.2.021011⟩. ⟨hal-02025168⟩

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