High oxidation state at the epitaxial interface of γ-Al2O3 thin films grown on Si(111) and Si(001) - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2010

High oxidation state at the epitaxial interface of γ-Al2O3 thin films grown on Si(111) and Si(001)

M. El Kazzi
  • Fonction : Auteur
C. Merckling
  • Fonction : Auteur
G. Grenet
M. Silly
  • Fonction : Auteur
F. Sirotti
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02023532 , version 1 (18-02-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02023532 , version 1

Citer

M. El Kazzi, C. Merckling, G. Saint-Girons, G. Grenet, M. Silly, et al.. High oxidation state at the epitaxial interface of γ-Al2O3 thin films grown on Si(111) and Si(001). Applied Physics Letters, 2010, 97 (15), pp.151902. ⟨hal-02023532⟩
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