Back-side integration of Hybrid III–V on Silicon DBR lasers
J. Durel
(1)
,
B. Ben Bakir
(2)
,
C. Jany
(2)
,
S. Cremer
(1)
,
K. Hassan
(2)
,
B. Szelag
(2)
,
T. Bria
(2)
,
V. Larrey
(2)
,
L. Sanchez
(2)
,
P. Brianceau
(2)
,
J. Dallery
(3)
,
R. Guiavarch
(2)
,
T. Card
(2)
,
R. Thibon
(2)
,
J. Broquin
(4)
,
F. Boeuf
(1)
1
ST-CROLLES -
STMicroelectronics [Crolles]
2 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
3 Vistec Electron Beam GmbH
4 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
2 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
3 Vistec Electron Beam GmbH
4 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
J. Broquin
- Fonction : Auteur
- PersonId : 170364
- IdHAL : jean-emmanuel-broquin
- ORCID : 0000-0001-5314-8699
- IdRef : 059916257
Résumé
In this paper we demonstrate the monolithic integration of a fully CMOS compatible hybrid DBR laser on the backside of a SOI wafer. This innovative approach allowed implementing CMOS compatible electric interconnects and optical sources on a same chip. The optical characterizations confirm the single wavelength behavior of the realized devices which present a SMSR higher than 35 dB and can be tuned over 4 nm, opening the route to a fully integrated optical transceiver on a Si platform.