Mechanism of the Generation of Donor–Acceptor Pairs in Heavily Doped n-ZrNiSn with the Ga Acceptor Impurity - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Fizika i tekhnika poluprovodnicov / Semiconductors Année : 2018

Mechanism of the Generation of Donor–Acceptor Pairs in Heavily Doped n-ZrNiSn with the Ga Acceptor Impurity

V. Romaka
  • Fonction : Auteur
P. -F. Rogl
  • Fonction : Auteur
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Dates et versions

hal-02019640 , version 1 (14-02-2019)

Identifiants

Citer

V. Romaka, P. -F. Rogl, D. Fruchart, D. Kaczorowski. Mechanism of the Generation of Donor–Acceptor Pairs in Heavily Doped n-ZrNiSn with the Ga Acceptor Impurity. Fizika i tekhnika poluprovodnicov / Semiconductors, 2018, 52 (3), pp.294-304. ⟨10.1134/s1063782618030193⟩. ⟨hal-02019640⟩

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