Article Dans Une Revue
Fizika i tekhnika poluprovodnicov / Semiconductors
Année : 2018
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https://hal.science/hal-02019640
Soumis le : jeudi 14 février 2019-16:16:40
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:26:46
Citer
V. Romaka, P. -F. Rogl, D. Fruchart, D. Kaczorowski. Mechanism of the Generation of Donor–Acceptor Pairs in Heavily Doped n-ZrNiSn with the Ga Acceptor Impurity. Fizika i tekhnika poluprovodnicov / Semiconductors, 2018, 52 (3), pp.294-304. ⟨10.1134/s1063782618030193⟩. ⟨hal-02019640⟩
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