In-situ synchrotron analysis of the very first ALD growth steps of ZnO on a-SiO2 and c-plane Al2O3 - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2015

In-situ synchrotron analysis of the very first ALD growth steps of ZnO on a-SiO2 and c-plane Al2O3

Domaines

Matériaux
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02016969 , version 1 (13-02-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02016969 , version 1

Citer

R. Boichot, A. Crisci, S. Lay, E. Blanquet, L. Tian, et al.. In-situ synchrotron analysis of the very first ALD growth steps of ZnO on a-SiO2 and c-plane Al2O3. Workshop RAFALD 2015, Nov 2015, Grenoble, France. ⟨hal-02016969⟩
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