Communication Dans Un Congrès
Année : 2015
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https://hal.science/hal-02016964
Soumis le : mercredi 13 février 2019-00:35:04
Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:12
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02016964 , version 1
Citer
Ji-Young Yoon, Byeong Geun Kim, Ji-Eun Lee, Myung -Hyun Lee, Won- Seon Seo, et al.. Top seeded solution growth of 4H - SiC single crystal using graphite block with rough surface. International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2015, Oct 2015, Giardini Naxos, Italy. ⟨hal-02016964⟩
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