Communication Dans Un Congrès
Année : 2015
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https://hal.science/hal-02016962
Soumis le : mercredi 13 février 2019-00:35:01
Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:12
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02016962 , version 1
Citer
R. Viennet, Hubert Renevier, Eric Jalaguier, V. Jousseaume, P. Gonon, et al.. The effect of the Ti getter layer and annealing on HfO2-based resistive random access memory studied by X-ray absorption, X-ray diffraction and electrical measurements. E-MRS Spring Meeting,, Symp. M, May 2015, Lille, France. ⟨hal-02016962⟩
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