Communication Dans Un Congrès Année : 2016
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02016931 , version 1 (13-02-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02016931 , version 1

Citer

T. Cossuet, A. Bocheux, J.L. Thomassin, R. Parize, F. Robaut, et al.. Selective area growth of ZnO nanowires with controllable polarity using chemical bath deposition. Conférence Nationale sur les Processus Ultimes d’épitaxie des Semiconducteurs, Jul 2016, Marseille, France. ⟨hal-02016931⟩
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