Article Dans Une Revue
Materials Science in Semiconductor Processing
Année : 2016
Bruno Daudin : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02016591
Soumis le : mardi 12 février 2019-17:36:02
Dernière modification le : mercredi 15 mai 2024-13:08:09
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02016591 , version 1
Citer
J.A. Budagosky, N. Garro, A. Cros, A. Garcia-Cristobal, S. Founta, et al.. Optical properties of wurtzite GaN/AlN quantum dots grown on non-polar planes: The effect of stacking faults in the reduction of the internal electric field. Materials Science in Semiconductor Processing, 2016, 49, pp.76-80. ⟨hal-02016591⟩
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