Doping β -Ga 2 O 3 with europium: influence of the implantation and annealing temperature - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Physics D: Applied Physics Année : 2017

Doping β -Ga 2 O 3 with europium: influence of the implantation and annealing temperature

K Lorenz
  • Fonction : Auteur
E Alves
  • Fonction : Auteur
M. Mendez
  • Fonction : Auteur
EAU
B Biquard
  • Fonction : Auteur
Bruno Daudin
E Víllora
  • Fonction : Auteur
K Shimamura
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02016554 , version 1 (12-02-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02016554 , version 1

Citer

M. Pérès, K Lorenz, E Alves, E. Nogales, M. Mendez, et al.. Doping β -Ga 2 O 3 with europium: influence of the implantation and annealing temperature. Journal of Physics D: Applied Physics, 2017, 50 (32), pp.325101. ⟨hal-02016554⟩
40 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More