Fabrication of 200 mm Germanium-On-Insulator (GeOI): A step toward a Germanium photonic platform
V. Reboud
(1)
,
J. Widiez
(1)
,
J. Hartmann
(1)
,
E. Gomez
(1)
,
A. Gassenq
(2)
,
K. Guilloy
(2)
,
M. Bertrand
(2)
,
S. Tardif
(3)
,
J. Escalante
(4)
,
N. Pauc
(2)
,
D. Fowler
(1)
,
E. Bellet Amalric
(5)
,
D. Rouchon
(1)
,
I. Duchemin
(4)
,
M. Niquet
(4)
,
F. Rieutord
(3)
,
R. Geiger
(6)
,
T. Zabel
(6)
,
E. Marin
(6)
,
H. Sigg
(6)
,
J. Faist
(7)
,
A. Chelnokov
(1)
,
V. Calvo
(2)
1
CEA-LETI -
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
2 SiNaps - Silicon Nanoelectronics Photonics and Structures
3 NRS - Nanostructures et Rayonnement Synchrotron
4 LSIM - Laboratory of Atomistic Simulation
5 NPSC - Nanophysique et Semiconducteurs
6 PSI - Paul Scherrer Institute
7 ETH Zürich - Eidgenössische Technische Hochschule - Swiss Federal Institute of Technology [Zürich]
2 SiNaps - Silicon Nanoelectronics Photonics and Structures
3 NRS - Nanostructures et Rayonnement Synchrotron
4 LSIM - Laboratory of Atomistic Simulation
5 NPSC - Nanophysique et Semiconducteurs
6 PSI - Paul Scherrer Institute
7 ETH Zürich - Eidgenössische Technische Hochschule - Swiss Federal Institute of Technology [Zürich]
M. Bertrand
- Fonction : Auteur
- PersonId : 802302
- ORCID : 0000-0001-6863-1843
S. Tardif
- Fonction : Auteur
- PersonId : 171321
- IdHAL : samuel-tardif
- ORCID : 0000-0002-1786-8581
- IdRef : 151370494
E. Bellet Amalric
- Fonction : Auteur
- PersonId : 10177
- IdHAL : edith-bellet-amalric
- ORCID : 0000-0003-2977-1725
- IdRef : 161478255
F. Rieutord
- Fonction : Auteur
- PersonId : 170248
- IdHAL : francois-rieutord
- ORCID : 0000-0003-4697-3652
- IdRef : 033177848
E. Marin
- Fonction : Auteur
- PersonId : 756653
- ORCID : 0000-0001-5383-9553
- IdRef : 060251077
V. Calvo
- Fonction : Auteur
- PersonId : 1475861
- IdHAL : vincent-calvo
Résumé
Using the Smart CutTM technology, we fabricated 200 mm optical Germanium-On-Insulator (GeOI) substrates for photonic applications. The high crystalline quality of the Ge layer opens the way to wafer-scale fabrication of photonic components such as new light emitting devices based on highly-tensile strain.