Phonon–plasmon coupling in Si doped GaN nanowires - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Materials Science in Semiconductor Processing Année : 2016

Dates et versions

hal-02007606 , version 1 (05-02-2019)

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Citer

E. Rozas-Jiménez, A. Cros, S. Murcia-Mascaros, Z. Fang, B. Daudin. Phonon–plasmon coupling in Si doped GaN nanowires. Materials Science in Semiconductor Processing, 2016, 55, pp.63-66. ⟨10.1016/j.mssp.2016.02.017⟩. ⟨hal-02007606⟩
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