Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Electron Devices
Année : 2012
Edwige BANO : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02006109
Soumis le : lundi 4 février 2019-14:00:18
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-18:18:25
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02006109 , version 1
Citer
F. Conzatti, M. Pala, D. Esseni, Edwige Bano, L. Selmi. Strain-Induced Performance Improvements in InAs Nanowire Tunnel FETs. IEEE Transactions on Electron Devices, 2012, 59 (8), pp.2085-2092. ⟨hal-02006109⟩
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