Strain-Induced Performance Improvements in InAs Nanowire Tunnel FETs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2012
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02006109 , version 1 (04-02-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02006109 , version 1

Citer

F. Conzatti, M. Pala, D. Esseni, Edwige Bano, L. Selmi. Strain-Induced Performance Improvements in InAs Nanowire Tunnel FETs. IEEE Transactions on Electron Devices, 2012, 59 (8), pp.2085-2092. ⟨hal-02006109⟩
13 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More