Optimisation d’une méthode de caractérisation des teneurs en dopants dans le silicium photovoltaïque cristallin de type n basée sur des mesures par effet Hall à basse température. - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2015

Optimisation d’une méthode de caractérisation des teneurs en dopants dans le silicium photovoltaïque cristallin de type n basée sur des mesures par effet Hall à basse température.

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02000971 , version 1 (31-01-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02000971 , version 1

Citer

Aurélie Fauveau, Benoit Martel, Sebastien Dubois, Jordi Veirman, Anne Kaminski, et al.. Optimisation d’une méthode de caractérisation des teneurs en dopants dans le silicium photovoltaïque cristallin de type n basée sur des mesures par effet Hall à basse température.. Journées Nationales du PhotoVoltaïque (JNPV 2015), Dec 2015, Dourdan, France. ⟨hal-02000971⟩
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