Mechanism of defect formation in heavily Y-doped n-ZrNiSn. I. Crystal and electronic structures - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Ukrainian Journal of Physics Année : 2009

Mechanism of defect formation in heavily Y-doped n-ZrNiSn. I. Crystal and electronic structures

V.V. Omaka
  • Fonction : Auteur
O.V. Bovgyra
  • Fonction : Auteur
L.P. Romaka
  • Fonction : Auteur
V.M. Davydov
  • Fonction : Auteur
R.V. Krayovskyy
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01995727 , version 1 (27-01-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01995727 , version 1

Citer

V.V. Omaka, E.K. Hlil, O.V. Bovgyra, L.P. Romaka, V.M. Davydov, et al.. Mechanism of defect formation in heavily Y-doped n-ZrNiSn. I. Crystal and electronic structures. Ukrainian Journal of Physics, 2009, 54 (11), pp.1119. ⟨hal-01995727⟩

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