Mobility spectrum analysis in AlGaN/GaN heterostructures for HFET fabrication - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2011

Mobility spectrum analysis in AlGaN/GaN heterostructures for HFET fabrication

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01995697 , version 1 (27-01-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01995697 , version 1

Citer

Adam Szyszka, M. Wosko, Aleksandra Apostoluk, W. Macherzynski, Regina Paszkiewicz, et al.. Mobility spectrum analysis in AlGaN/GaN heterostructures for HFET fabrication. 7th Interregional Workshop on Advanced Nanomaterials, Nov 2011, Wroclaw, Poland. ⟨hal-01995697⟩
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