Effects of negative bias stress on trapping properties of AlGaN/GaN Schottky barrier diodes - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Microelectronic Engineering Année : 2017

Effects of negative bias stress on trapping properties of AlGaN/GaN Schottky barrier diodes

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hal-01987673 , version 1 (21-01-2019)

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Philippe Ferrandis, Matthew Charles, Charlotte Gillot, René Escoffier, Erwan Morvan, et al.. Effects of negative bias stress on trapping properties of AlGaN/GaN Schottky barrier diodes. Microelectronic Engineering, 2017, 178, pp.158-163. ⟨10.1016/j.mee.2017.05.022⟩. ⟨hal-01987673⟩
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