GaN surface as the source of non-radiative defects in InGaN/GaN quantum wells - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2018

GaN surface as the source of non-radiative defects in InGaN/GaN quantum wells

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hal-01981711 , version 1 (18-12-2020)

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Citer

C. Haller, J.-F. Carlin, Gwenolé Jacopin, W. Liu, D. Martin, et al.. GaN surface as the source of non-radiative defects in InGaN/GaN quantum wells. Applied Physics Letters, 2018, 113 (11), pp.111106. ⟨10.1063/1.5048010⟩. ⟨hal-01981711⟩
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