Robust magnetic full-adder with voltage sensing 2T/2MTJ cell - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2015

Robust magnetic full-adder with voltage sensing 2T/2MTJ cell

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Guillaume Prenat  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01976572

Soumis le : jeudi 10 janvier 2019-10:47:24

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-09:43:52

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Dates et versions

hal-01976572 , version 1 (10-01-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01976572 , version 1

Citer

Erya Deng, You Wang, Zhaohao Wang, Jacques-Olivier Klein, Bernard Dieny, et al.. Robust magnetic full-adder with voltage sensing 2T/2MTJ cell. 2015 IEEE/ACM International Symposium on Nanoscale Architectures (NANOARCH) (2015), Jul 2015, Boston, United States. ⟨hal-01976572⟩

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