Quantum simulation of tunnel field-effect transistors based on transition metal dichalcogenides - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2015
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01968207 , version 1 (02-01-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01968207 , version 1

Citer

Jiang Cao, Marco G. Pala, Alessandro Cresti, David Esseni. Quantum simulation of tunnel field-effect transistors based on transition metal dichalcogenides. Graphene 2015, Mar 2015, Bilbao, Spain. ⟨hal-01968207⟩
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