Article Dans Une Revue
IEEE Electron Device Letters
Année : 2007
Quentin Rafhay : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01959438
Soumis le : mardi 18 décembre 2018-17:00:23
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:24:01
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01959438 , version 1
Citer
Russell Duane, Quentin Rafhay, M. Florian Beug, Michiel van Duuren. Intrinsic Mismatch Between Floating-Gate Nonvolatile Memory Cell and Equivalent Transistor. IEEE Electron Device Letters, 2007, 28 (5), pp.440-442. ⟨hal-01959438⟩
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